三星半导体公司推出新一代V

三星半导体公司继续致力于固态存储的加强，周二公司宣布，新一代的V-NAND技术将有助于降低闪存的成本和功耗，并将于今年晚些时候推出。

????其第3版本3D?V-NAND垂直闪存，它使用堆叠技术，在每一层上至少放置一个数据位。三星半导体存储器实验室的副总裁鲍勃·布伦南说，预计采用这种新技术的SSD（固态硬盘）将在在今年年底前出货。

????三星的垂直闪存比将组件放到单一芯片层的闪存拥有更大存储密度。平面芯片在存储密度增加上越来越困难和昂贵，因为部件越接近，越容易产生误码。而使用V-NAND垂直闪存，将会降低闪存成本。同样大小的芯片平面，V-NAND垂直闪存可降低每比特的价格，并使存储更加密集。

????三星在一年前推出的版本使用24层堆叠，而在今年早些时候的版本为32层。它已经在销售32层V-NAND的850?Pro固态硬盘，三星并为它提供了一个长达10年的保修期。但这些版本只实现每一层两比特的数据。三星目前正在开发每一层3比特的数据，并将实现了48层设计。三星认为可以在未来将层数添加100左右。

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